愛普＊跨入IPD市場 營運添翼

愛普月合併營收表現

記憶體廠愛普*（6531）物聯網（IoT）事業羣及人工智慧（AI）事業羣佈局成功，包括類靜態隨機存取記憶體（PSRAM）出貨暢旺，晶圓堆疊晶圓（WoW）已進入量產階段並明顯貢獻營收。愛普*爲了開拓新市場，將與晶圓代工廠力積電（6770）攜手合作，以多年來在DRAM電容（capacitor）技術優勢，跨入半導體制程整合型被動元件（IPD）市場，大搶5G及B5G（Beyond 5G）裝置龐大商機。

受到晶圓代工廠產能吃緊及生產鏈長短料問題的影響，愛普*的PSRAM及利基型DRAM出貨延宕，11月合併營收月減4.6％達5.58億元，與去年同期相較仍大幅成長73.9％，累計前11個月合併營收60.25億元，較去年同期成長92.0％。而隨着生產鏈長短料問題逐步獲得紓解，愛普出貨將逐步回升，對未來2～3年維持樂觀展望，明年第一季將淡季轉旺。

包括4G數據機晶片及穿戴裝置微控制器（MCU）主流製程已微縮到7奈米或5奈米，一般記憶體晶片尺寸較大，無法符合數據機或MCU等邏輯晶片較小尺寸，愛普*因爲可以爲客戶進行客製化設計，縮小PSRAM及利基型DRAM的接腳數及晶片尺寸，符合邏輯晶片小尺寸需求，所以訂單能見度高，愛普*看好IoT事業羣明年出貨量會明顯優於今年。

由於高效能運算（HPC）晶片搭載的高頻寬記憶體（HBM）價格昂貴，愛普*推出全新DRAM介面的異質整合高頻寬記憶體（VHM）技術，透過WoW先進封裝可提供更大的記憶體頻寬但更低的成本，下半年已進入量產，今年相關DRAM晶圓銷售6億元目標可望順利達陣，未來2～3年已有10個專案將陸續投產並帶來明顯營收貢獻。

隨着5G智慧型手機快速發展，多頻段特性需要採用更多射頻元件，被動元件搭載數量同步大增，但手機要求輕薄短小，過多的射頻及被動元件會造成高頻傳輸耗損、功耗明顯提高、散熱難度大增等問題。而採用半導體制程的IPD因爲利用矽基板蝕刻出高深寬比的溝槽式（trench）結構，利用3D排列結構來解決射頻及被動元件過多帶來的負面影響。

蘋果iPhone採用IPD元件已逾5年，隨着5G手機未來幾年出貨量的快速增加，IPD元件因爲能與射頻元件進行阻抗匹配與去耦合等高頻電路設計，明年將進入成長爆發階段，且未來往B5G發展後還會帶來更強勁成長動能。

愛普*已經攜手力積電共同跨入IPD市場，並且展開與5G手機晶片廠合作，預計明年就可帶來營收貢獻。