臺積電完勝！三星2奈米良率太嚇人 決定撤出美國廠員工

三星先進代工業務的現狀凸顯面臨嚴峻挑戰。（美聯社）

臺積電、三星連袂赴美國亞利桑那州和德州設立先進製程晶圓廠，但根據韓媒Business Korea報導，三星因2奈米良率未改善，決定撤離美國廠人員，也顯示三星在先進晶圓代工領域遭受重大挫折。

報導指出，三星德州廠計劃作爲量產4奈米以下先進製程重鎮，因靠近美國主要科技大廠，在策略上旨在保住美國客戶。但三星持續面臨2奈米制程挑戰，與主要勁敵臺積電相比，效能較低且量產能力不足，該廠的量產時間已從2024年底推遲至2026年。

目前三星3奈米以下的代工良率低於50%，反觀臺積電的先進製程良率約60~70%，這種良率差距使兩家公司之間的市佔差距擴大到50.8個百分點，數據顯示，臺積電在第二季度佔據62.3%的全球代工市場，三星僅有11.5%。

一名業界人士說，三星環繞式閘極（GAA）製程的良率約10%至20%，無法應付訂單與量產，如此低的良率迫使公司重新考慮策略，並撤離德州廠人員，只留下最少工作人力。

三星需要從根本上加強競爭力，一位半導體教授建議，三星內部的官僚主義、緩慢的決策和低薪，是晶圓代工競爭力下降的主要原因。