臺積電法說會／預期2奈米在頭兩年產品設計定案量 高於3、5奈米同期

臺積電（2330）18日在法說會中，更新了先進製程的發展進度，預期該公司2奈米技術，在頭兩年的產品設計定案數量將高於3奈米和5奈米的同期表現。路透

臺積電（2330）18日在法說會中，更新了先進製程的發展進度，預期該公司2奈米技術，在頭兩年的產品設計定案（tape outs）數量將高於3奈米和5奈米的同期表現。

臺積電表示，N2製程技術提供全世代的效能和功耗優勢，相較於N3E，在相同功耗下，速度增加10％至15％；在相同速度下，功耗降低25％至30％，同時晶片密度增加大於15％。

臺積電指出，N2製程技術研發進展順利，裝置效能和良率皆按照計劃甚或優於預期，將如期在2025年進入量產，其量產曲線預計與N3相似。

在持續強化的策略下，臺積電也推出N2P製程技術，爲N2家族的延伸。N2P在N2的基礎上具備5％的效能增長，以及5％至10％的功耗優勢。N2P將爲智慧型手機和 HPC應用提供支持，並計劃於2026年下半年量產。

臺積電並將推出A16製程技術爲下一代奈米片技術，並推出採用超級電軌（Super Power Rail，或稱SPR）的獨立解決方案。臺積電提到，其SPR是一種創新的最佳晶圓背面供電網路解決方案，爲業界首創，保留柵極密度與元件寬度的彈性。相較於N2P，A16在相同工作電壓下，速度增快8％至10％；在相同速度下，功耗降低15％至20％；晶片密度則提升7％至10％。

臺積電強調， A16是具有複雜訊號佈線及密集供電網路的高效能運算（HPC）產品的最佳解決方案，計劃於2026年下半年進入量產。