臺積電3奈米差點背鍋！最新爆料：i15發熱禍首是1零件

蘋果iPhone 15 Pro系列新機出現容易過熱的問題。（示意圖／路透社）

iPhone 15 Pro系列新機出現容易過熱的毛病，外界一度以爲是臺積電3奈米的問題，但蘋果官方上週末發聲明表示，主要是iOS 17系統的漏洞與第三方應用程式（APP）交互作用下所導致。此外，有業內人士爆料，罪魁禍首恐怕是規格升級的DRAM（動態隨機存取記憶體）造成運行龐大負擔。

知名科技爆料者Revegnus在社羣軟體X（原名Twitter）上引述一位熟悉蘋果半導體業務的達人說法，「幾乎已經確定iPhone 15系列的DRAM是發燙的罪魁禍首，規格升級的DRAM爲了配合資料處理速度，消耗了更多電力，這個過程中就會產生熱。」

Revegnus也提到，該名業內人士認爲，此問題可能會在一至兩個月內解決，並已經排除其他會引起過熱的可能性。而TechInsights先前拆解iPhone 15 Pro新機後發現，搭載的DRAM是美光最先進的D1β LPDDR5 DRAM晶片。

此前，南韓媒體將iPhone 15過熱原因指向臺積電3奈米制程，並提到此跡象可能是FinFET製程技術已經到達極限，而提早在3奈米轉進GAA製程的三星將有突破點，且如果市場對臺積電3奈米存疑，客戶可能會轉向或同時採用三星的產品，引起熱烈討論。