臺積電2納米制程技術細節出爐 性能躍升15% 功耗降低30%
【臺積電2納米制程技術細節出爐 性能躍升15% 功耗降低30%】《科創板日報》17日訊,在舊金山舉行的IEEE國際電子器件會議 (IEDM) 上,全球晶圓代工巨頭臺積電公佈了其備受矚目的2納米(N2)製程技術的更多細節。據介紹,相較於前代製程,N2製程在性能上提升了15%,功耗降低了高達30%,能效顯著提升。此外,得益於環繞式柵極(GAA)納米片晶體管和N2 NanoFlex技術的應用,晶體管密度也提高了1.15倍。N2 NanoFlex技術允許製造商在最小的面積內集成不同的邏輯單元,進一步優化了製程的性能。據悉,N2製程晶圓的價格將比3納米制程高出10%以上。
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