涉嫌向陸企泄露半導體核心技術 韓三星電子前高管獲刑7年

涉嫌向中國企業泄露韓國核心半導體技術的三星電子前高管金某，遭韓國法院以「妨礙相關領域良好競爭和貿易秩序」的重罪，在一審判處有期徒刑7年。（圖／路透）

韓國首爾中央地方法院第25刑事部（主審法官池貴淵）以違反《防止信息泄漏及保護產業技術相關法律》爲由，對涉嫌向中國企業泄露韓國核心半導體技術的三星電子前高管金某，在一審判處有期徒刑7年。同時被起訴的原分包商員工方某和金某也分別被判處2年6個月有期徒刑和1年6個月有期徒刑。

《芯智訊》報導，曾任三星電子部長金某，被指控在 2016 年跳槽至中國大陸新成立的半導體公司時，泄露了三星電子 18nm DRAM 相關的半導體工藝的信息，並將其用於產品開發；方某曾擔任三星電子旗下半導體設備供應商A公司的團隊負責人，被指控與金某等人合謀將該公司尖端技術——半導體沉積設備的設計技術數據竊取給該中國大陸公司。

法院認定檢方對於被告的大多數指控成立，稱「以金某爲首的被告人竊取了受害公司的重要數據，並將其用於爲一家中國公司製造晶片」、「金某泄露了三星電子的技術數據並加以利用」。

韓國法院在解釋量刑理由時指出，「這是妨礙相關領域良好競爭和貿易秩序的嚴重犯罪，對韓國國家產業競爭力造成重大負面影響。……考慮到中國競爭對手已經從開發階段進入量產階段，不難預測三星電子的損失將達到巨大數額。」