路透：中國大陸廠商開發HBM取得進展 目前聚焦HBM2

路透報導，華爲正設定目標，要和其他國內業者合作在2026年前生產HBM2晶片。路透

路透引述消息人士和相關文件指出，兩家中國大陸晶片製造商正開發用於人工智慧（AI）晶片組的高頻寬記憶體（HBM）晶片已取得進展，正處於生產的早期階段。

在美國加強管制對中國大陸出口先進晶片和其他一些零組件之際，中國大陸開發HBM獲致進展，即使只是較舊版本的HBM，也象徵北京追求科技自給自足的最新里程碑。

知情人士表示，華爲正設定目標，要和其他國內業者合作在2026年前生產HBM2晶片。科技媒體The Informatio曾在4月報導，華爲引領的企業集團包括福建晉華。華爲並未發表評論，福建晉華未迴應路透記者的置評請求。目前還不清楚華爲從哪裡採購HBM。

知情人士說，中國大陸的努力目前聚焦於HBM2。

其他消息人士透露，中國大陸DRAM晶片製造商龍頭長鑫存儲與晶片封裝測試業者通富微電，已合作開發一款HBM晶片樣品，且正在向客戶展示。長鑫存儲和其他中國大陸晶片企業也一直在與日韓半導體設備公司定期開會，以購買HBM的開發工具。長鑫存儲和通富微電未回覆路透記者的置評請求。

武漢新芯也正在建設一家工廠，每月將能生產3,000片12吋HBM晶圓。企業數據庫企查查（qicacha）的文件顯示，這座工廠原訂今年2月開工興建。

武漢新芯及母公司都未迴應路透記者的置評請求。武漢新芯已向監管機構表示有意上市，其母公司也是長江存儲的母公司。長江存儲表示，不具備大規模生產HBM的能力。長鑫存儲和武漢新芯都是私營企業，但在中國大陸大舉投資發展晶片業之際，都獲得地方政府用於推動科技進步的資金支持。

HBM市場目前由南韓SK海力士和三星電子、以及美國的美光（Micron Technology）主導，都已生產最新標準的HBM3晶片，並正在努力在今年向客戶推出第五代HBM或HＢM3E。

雖然美國並未限制出口HBM晶片，但HBM3晶片是使用美國技術製造，根據管制規定，華爲等許多陸企都被禁止使用美國技術。

White Oak資本管理公司投資總監Nori Chou估算，中國大陸晶片製造商在HBM領域仍落後全球其他競爭對手十年，「儘管如此，（長鑫存儲）與通富微電攜手合作，是中國大陸的一個重要機會，能強化HBM市場內的記憶體和先進封裝能力」。

長鑫存儲、通富微電和華爲申請的專利表明，在中國大陸開發HBM的計劃至少能追溯到三年前。顧問機構Anaqua的AcclaimIP數據庫顯示，長鑫存儲已在美國、中國大陸及臺灣申請近130項專利，分別涉及與HBM晶片製造和功能相關的不同技術問題。其中14項於2022年公佈，46項於2023年公佈，69項於2024年公佈。

4月公佈的一項中國大陸專利顯示，長鑫存儲正在研究混合鍵合（hybrid bonding）等先進封裝技術，以製造更強大的HBM產品。另一份文件顯示，長鑫存儲也在投資開發製造HBM3的所需技術。