路透：三星的八層HBM3E晶片已通過輝達測試 Q4有望供應

三星電子在首爾的辦公室。美聯社

路透引述三位消息人士說法報導，三星電子的第五代高頻寬記憶體晶片HBM3E已經通過輝達（Nvidia）測試，可用於輝達的AI處理器上。

取得這一資格，爲三星電子掃清一個重大障礙。在供應能夠處理生成式AI任務的高階記憶體方面，三星一直在努力追趕南韓同業SK海力士。

路透報導指出，消息人士表示，三星和輝達尚未簽署這款已獲通過的8層HBM3E晶片供應協議，但很快將簽署，預期今年第4季就會展開供應。

不過消息人士說，三星的12層HBM3E晶片尚未通過輝達測試。由於此事仍屬機密，消息人士拒絕具名。

三星和Nvidia均拒絕置評。

HBM是一種動態隨機存取記憶體或DRAM標準，於2013年首次推出，其中的晶片採用垂直堆疊方式，以節省空間並降低功耗。HBM是AI繪圖處理器（GPU）的關鍵組件，可幫助處理複雜應用程序產生的大量數據。

據路透5月引述消息人士報導，三星自去年以來一直在尋求通過輝達對HBM3E以及之前第四代HBM3晶片的測試，但由於發熱和功耗問題而未能成功。

據知情人士透露，該公司此後已修改了HBM3E的設計以解決這些問題。

在路透5月發出報導後，三星表示，有關其晶片因發熱和功耗問題未能通過輝達測試的說法不實。

據路透上個月報導，輝達最近覈准了三星HBM3晶片，可用於爲中國市場開發的較不復雜的處理器。

據研究業者集邦科技，HBM3E晶片很可能成爲今年市場上的主流HBM產品，出貨量將集中在下半年。SK海力士估計，到2027年，HBM記憶體的總體需求年增速可能達到82%。

三星7月曾預測，到第4季，HBM3E晶片將佔其HBM晶片銷量的60%。許多分析師表示，如果其最新的HBM晶片能在第3季前獲得輝達的最終覈准，這一目標就可以實現。