聯電與Avalanche合作22奈米航太應用高密度MRAM

聯電與Avalanche合作的第三代產品平臺建構於Avalanche最新一代自旋轉移矩磁性記憶體（Spin-Transfer-Torque MRAM，STT-MRAM）技術，以及聯電的22奈米制程。相較於現有的非揮發性解決方案，更具高密度、耐用性、可靠度和低功耗的優勢。

Avalanche行銷與商務發展副總經理Danny Sabour表示，此次新產品的推出，真正實現了市場對高耐用性、高可靠性和高密度的各項應用需求，且無需外部電池、錯誤修正代碼（ECC）或耗損平均技術。有鑑於現今無所不在的感測裝置以及日益升高的資料處理需求推升對耐磨損、高持久性記憶體的需要，將很快啓動進一步提高16Gb單晶片解決方案的開發工作。

聯電前瞻發展辦公室暨研究發展副總經理洪圭鈞表示，聯電與Avalanche合作，將此獨立的記憶體解決方案投入生產，這是一個重要的里程碑，有助於將堅實且高度可擴展的MRAM解決方案商業化。聯電憑藉着多元的晶圓專工技術和卓越的製造能力，並透過此次與Avalanche的合作，將滿足市場對持久性記憶體不斷提升的需求。

Avalanche首席技術長兼技術與晶圓專工業務副總經理懷一鳴表示，自2006年起，Avalanche持續專注於開發創新垂直式磁穿隧接面（perpendicular Magnetic Tunnel Junction，pMTJ）結構的STT-MRAM技術，今後將以領先業界的pMTJ和CMOS設計爲基礎，透過與聯電在晶圓代工領域合作，讓最先進的高密度和高性能STT-MRAM產品得以問世。