立項到啓建不到4個月，原子層鍍膜與刻蝕設備項目開工

本文轉自：人民日報客戶端

謝大奇 龔嬋婷

由中建三局第一建設工程（上海）有限責任公司承建的光馳半導體技術（上海）有限公司原子層鍍膜與刻蝕設備項目9月23日正式開工。

項目位於上海市寶山區，總建築面積6.5萬平方米，一期總建築面積3.84萬平方米，集研發樓、廠房、配電房及職工宿舍爲一體。在寶山區政府與園區的大力支持與密切配合下，項目從開工立項到開工建設用時不到4個月，克服了種種困難。

項目以半導體前沿ALD（原子層鍍膜）技術與刻蝕技術爲依託，以持續技術創新和市場開拓，擬在半導體制造與器件領域實現技術的應用與擴大銷售。項目建成後有望爲我國在光電子和半導體光學領域解決相關產業難題並實現規模化量產作出重要貢獻。同時，可有力地促進寶山高新園區的北轉型，爲南北園區經濟融合、比翼齊飛添磚加瓦。