慧榮科技推出最佳效能功耗比PCIe Gen5 SSD控制晶片

SM2508是全球首款採用臺積電6奈米EUV製程的PCIe Gen5消費級SSD控制晶片，相較於競爭廠商的12奈米制程，功耗大幅降低50％。

整個SSD的功耗低於7W，比PCIe Gen4SSD提高了1.7倍的功耗效率，且比目前市場上的PCIe Gen5競爭產品提升達70％。

慧榮於8 月6 日至8 日在美國加州舉辦的FMS（Future of Memory and Storage）展示以SM2508爲主的SSD控制晶片及其他創新技術。

SM2508是一款專爲AI筆電所設計的高效能、低功耗PCIe Gen5x4NVMe2.0SSD控制晶片。支援8 個NAND通道，每通道速度高達3,600MT／s，循序讀寫速度最高可達14.5GB／s和13.6GB／s，隨機讀寫效能最高可達2.5M IOPS，相較於PCIe Gen4產品，效能提升了2倍。

SM2508已由多家SSD主要廠商引進設計開發中，其中包括主要的NAND大廠，目標訂於2024年第四季開始量產。