鴻鎵攻GaN快充 搶5G通訊、電動車商機

鴻鎵與日本NTTAT持續合作，佈局氮化鎵元件，迎接電動汽車產業及5G通訊的快速起飛。研發團隊在日本NTT-AT GaN磊晶技術基礎上，致力於GaN FET元件應用開發，短短不到三年的時間，已經擁有高達35個GaN FET相關專利，運用於GaN快充、5G基地臺RF（射頻元件）、激光雷達（LiDAR）等重要產品。

鴻鎵表示，氮化鎵技術是38W-100W雙口快充最佳選擇，可滿足手機筆電大廠需要輕薄短小的電源機身設計，合乎省電節能減碳國際趨勢。據研究機構Trend Force預測，2022年智慧手機產量將高達13.9億支，目前蘋果、三星、小米等手機品牌業者，已陸續取消附贈充電器，直接造成快充需求快速成長。

而GaN應用在快充市場的滲透率也逐年跳升，預測2025年將達到60％以上，GaN快充市場銷售額將以55W-65W爲主流，目前2020年55W-65W市佔率已達七成。鴻鎵科技氮化鎵功率元件全面佈局在電源，主攻5G通訊、電動車，公司看好明年業績有機會出現爆發性成長。