海炬申請基於永磁偏置的芯片巨量轉移用自解耦電磁裝置及應用專利，通過流體場和磁場相結合的方式實現Mini/Micro LED芯片快速大批量精準轉移

金融界2024年12月12日消息，國家知識產權局信息顯示，北京海炬科技有限公司申請一項名爲“一種基於永磁偏置的芯片巨量轉移用自解耦電磁裝置及應用”的專利，公開號CN 119108176 A，申請日期爲2024年9月。

專利摘要顯示，本發明公開了一種基於永磁偏置的芯片巨量轉移用自解耦電磁裝置及其應用，涉及芯片巨量轉移技術領域，包括線圈支撐座、磁針固定底座、磁針支撐罩、電磁支撐罩，線圈支撐座的頂面中央設置有磁針容納槽，磁針固定底座設置於磁針容納槽內，磁針固定底座的的上方設置有鋁合金底層，磁針固定底座上設置有若干永磁磁針，永磁磁針的頂端向上穿過鋁合金底層，磁針容納槽的周圍設置有磁針支撐罩，磁針支撐罩的外圍設置有電磁支撐罩，磁針支撐罩與電磁支撐罩之間放置通電螺線圈。本發明採用上述結構和步驟的一種基於永磁偏置的芯片巨量轉移用自解耦電磁裝置及其應用，通過流體場和磁場相結合的方式實現Mini/Micro LED芯片快速大批量精準轉移。

本文源自：金融界

作者：情報員