格科微（上海）申請圖像傳感器及其形成方法專利，提高像素單元防過曝能力改善圖像傳感器整體性能

金融界 2024 年 8 月 30 日消息，天眼查知識產權信息顯示，格科微電子（上海）有限公司申請一項名爲“圖像傳感器及其形成方法“，公開號 CN202310183264.4，申請日期爲 2023 年 2 月。

專利摘要顯示，本發明提供一種圖像傳感器及其形成方法，在採用多晶硅隔離結構實現像素單元中不同電壓節點之間的電學隔離的基礎上，進一步通過多晶硅隔離結構控制光電二極管的載流子溢出，優選的，在高電壓節點附近的多晶硅隔離結構下方形成與光電二極管相連的載流子溢出通道，所述多晶硅隔離結構作爲控制所述載流子溢出通道的柵極，光電二極管中過飽和的載流子可以通過載流子溢出通道轉移到附近的高電壓節點並被抽出，從而降低過飽和載流子溢出到臨近像素單元中的機率，這樣像素單元的防過曝能力將會大幅度提高，改善了圖像傳感器的整體性能。

本文源自：金融界

作者：情報員