Dialog將非揮發性電阻式RAM技術授權與格芯22FDX平臺

英商戴樂格半導體(Dialog Semiconductor)爲電池與電源管理、Wi-Fi、BLE(藍牙低功耗)方案以及工業邊緣計算方案的領先供應商，今天與全球領先特殊工藝半導體代工廠格芯(GLOBALFOUNDRIES) 聯合宣佈，已就Dialog向格芯授權導電橋接RAM（CBRAM）技術達成協議。該電阻式RAM(ReRAM)技術由Dialog半導體公司於2020年收購的Adesto Technologies首創。格芯首先將在其22FDX平臺上以嵌入式非揮發性記憶體（NVM）選項提供Dialog的CBRAM，後續計劃將該技術拓展到其他平臺。

Dialog獨有的且經過生產驗證的CBRAM技術是一項低功耗的NVM解決方案，專爲物聯網（IoT）、5G連接、人工智慧（AI）等一系列應用而設計。低功耗、高讀/寫速度、更低的製造成本，對惡劣環境的耐受能力，使CBRAM特別適合消費、醫療和和特定的工業及汽車等應用。此外，CBRAM技術爲這些市場中的產品所需的先進技術節點提供了具成本效益的嵌入式NVM。

Dialog半導體公司企業發展資深副總裁暨工業混合訊號業務部門總經理Mark Tyndall表示，CBRAM是Adesto傑出的標誌性儲存技術之一，該技術加入到Dialog產品組合中具有重要的戰略意義。此次與格芯的授權合作恰好證明了Dialog和Adesto融合後開展業務的速度。展望未來，我對我們和格芯牢固的合作關係非常有信心。此次授權協議不僅爲行業提供了最先進的技術，也爲Dialog在下一代系統級晶片（SoC）中採用先進CBRAM技術提供了機遇。

格芯資深副總裁暨汽車、工業和多市場業務部門總經理Mike Hogan表示，我們與Dialog的合作彰顯了格芯在爲客戶進一步提供差異化優勢和增值的領域加大投資的承諾。Dialog的ReRAM技術是對我們領先的eNVM解決方案系列非常好的補充。該記憶體解決方案結合我們的FDX平臺，將協助我們客戶進一步突破技術邊界，提供新一代安全的IoT和邊緣AI應用。

Dialog的CBRAM技術克服了ReRAM常見的整合和可靠性挑戰，提供了可靠且低成本的嵌入式記憶體，同時保留了ReRAM的低電壓運行能力。這意味着可以實現比標準嵌入式快閃記憶體更低功耗的讀寫操作。

CBRAM將於2022年在22FDX平臺上以嵌入式NVM選項向格芯的客戶提供。透過IP訂製，客戶可以修改CBRAM單元以優化其SoC設計，提升安全性，或將單元調整成適合新的應用。此外，CBRAM作爲一種後段製程技術，可以相對容易地整合到其他工藝節點中。