遞交商務部資料揭露時間點 臺積2奈米 2028年赴美

外界持續關注地緣政治議題與臺積電2奈米在美國新廠投資計劃。 路透

臺積電（2330）昨（28）日股價險守千元，外界持續關注地緣政治議題與2奈米在美國新廠投資計劃，據臺積電先前遞交美國商務部的資料，2奈米最快2028年赴美生產。

國科會主委吳誠文昨天提及臺積電2奈米後續赴美投資，時間點差不多落在2028年，也有可能在2029、2030年。對於相關議題，臺積電昨天沒有新迴應。

據悉，臺積電2奈米赴美時間點，已於公司先前遞交美國商務部的投資計劃中羅列。

臺積電和美國商務部於4月8日共同宣佈，美國商務部和TSMC Arizona已簽署一份不具約束力的初步備忘錄，基於晶片科學法案，TSMC Arizona 將獲得最高可達66億美元直接補助，臺積電亦宣佈計劃在美國亞利桑那州設立第三座晶圓廠，以透過在美國最先進的半導體制程技術來滿足強勁的客戶需求。

依據說明，臺積電在亞利桑那州鳳凰城據點的總資本支出超過650億美元。

臺積電當時透過新聞稿指出，亞利桑那州首座晶圓廠依進度，將於2025上半年開始生產4奈米制程技術，第二座晶圓廠除了3奈米技術，亦將生產世界上最先進、採用下一世代奈米片電晶體結構的2奈米制程技術，預計2028年開始生產；第三座晶圓廠預計將在21世紀20年代底（約2030年前）採2奈米或更先進製程生產。

美國商務部11月15日發佈新聞稿，確定臺積電美國新廠可望在拜登政府任內核可66億美元補助，法人關注依據美國官方訊息釋出獲得補助協議的三個關鍵，包含補助撥款依據建廠進度、2024年底前是否獲得至少10億美元，以及臺積電在協議同意5年內放棄股票回購權，超額利潤將依「分佔增值協議」（upside sharing agreement）與美國政府共享等。

同時，依據美商務部官網最新列出，臺積電美國新廠的Fab 2預定2028年開始生產3奈米鰭式場效電晶體（FinFET）工藝技術；至於第三期Fab 3預計在約2030年前，生產A16和2奈米奈米片工藝技術。