AI 甩「吃電怪獸」惡名有解方 美CRAM記憶體可大幅降低能耗
美明尼蘇達大學開發出顛覆性的先進記憶體CRAM技術，有望成爲全球缺電問題救世主。（取自Getty Images）
AI擺脫「吃電怪獸」惡名在望。美國明尼蘇達大學開發出顛覆性的先進記憶體CRAM技術，可在記憶體中直接進行運算，把AI應用能耗大幅降至現有技術的千分之1、甚至萬分之4，有望成爲全球缺電問題救世主。
臺廠當中，旺宏（2337）與IBM共同投入相關技術研發多年，將在這項嶄新的記憶體技術中搶佔先機。
外電報導，明尼蘇達大學科學與工程學院的研究人員，歷經長達20多年研究，開發出新世代的相變化記憶體，可大幅降低AI應用能耗，近期相關研究以「實驗展示基於磁性穿隧結（MTJ）的相變化記憶體」爲題，登上國際權威期刊《自然（Nature）》的同行評議科學期刊 《npj Unconventional Computing》。
該研究開發出一種「數據永遠不會離開記憶體」的新型相變化記憶體，可將AI運算的機器學習推論加速器能源需求降低至少1,000倍、即能耗僅千分之1；研究中的另一個例子中也顯示，與傳統方法相比，所節省的能耗甚至高達2,500倍、即能耗僅萬分之4。
通常AI運算過程中，會在處理器與記憶體間來回移動傳輸數據，過程中消耗大量的能量，而明尼蘇達大學團隊新開發的相變化記憶體技術，完全顛覆過去的運算模式，可直接在記憶體單元中進行AI運算處理，大幅提升能源使用效率。
臺廠中，旺宏在相關技術中跑得最快。旺宏已與「藍色巨人」IBM攜手投入相變化記憶體開發十餘年，合作初期有不少同業加入，但隨着時間流逝，不少廠商陸續退出，目前旺宏是IBM相變化記憶體唯一合作伙伴。
旺宏與IBM的相變化記憶體共同開發計劃以三年爲一期，期滿後雙方視狀況再籤新約，雙方相變化記憶體合作方向瞄準AI應用。
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