2027陸成熟製程產能佔比上看33％

TrendForce指出，中國成熟製程擴產聚焦在Driver IC、CIS/ISP與Power Discrete等領域，二、三線臺廠首當其衝。

Driver IC方面，主要採用HV（High Voltage）製程，各家業者近期聚焦40/28nm HV製程開發，而目前市場製程技術較領先的業者是聯電，其次是格羅方德（GlobalFoundries）。不過，中芯國際28HV、合肥晶合集成40HV將先後於今年第四季、明年下半年進入量產階段，並與其他晶圓代工業者的技術差距逐漸縮小，尤其製程能力與產能相當競爭者如力積電，或暫無12吋廠的世界先進、東部高科（DBHitek）短期內將首當其衝；對聯電、格羅方德中長期來看也將造成影響。

CIS/ISP方面，3D CIS結構包含邏輯層ISP與CIS感光層，主流製程大致以45/40nm爲分水嶺，目前技術領先業者以臺積電（TSMC）、聯電、三星（Samsung）爲主，但中芯、合肥晶合集成緊追其後，預期後續將訂單移回中國進行投產。

Power Discrete（功率元件）方面，主要涵蓋MOSFET與IGBT兩種產品，世界先進深耕已久，受惠於中國電動車補貼政策以及太陽能基礎建設，中國晶圓代工業者獲得更多切入機會，若中國產能同時大量開出，不僅中國本土出現價格戰，也可能分食臺系業者訂單及客戶。

TrendForce認爲，中國大幅擴產可能造成全球成熟製程產能過剩，價格戰將隨之而來，中國本土化生產趨勢將日漸明確，具備相似製程平臺及產能的二、三線晶圓代工業者，可能面臨客戶流失風險與價格壓力，如聯電、力積電與世界先進等臺系業者將首當其衝，技術進展和良率將是後續鞏固產能的決勝點。